比较第1代与第2代半导体材料，第3代半导体材料是具有较大禁带宽度（禁带宽度>2.2eV）的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO），其中，发展较为熟识的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗放射智力、击穿电场、电子饱和速率等方面优点隆起撸踏踏，因此更使用于高温、高频、抗放射的场合。 撸踏踏

跟着SiC、GaN器件的制备工艺缓缓熟识，其分娩成本也在无间裁汰，第3代半导体正以其优良的性能破裂传统硅基材料的瓶颈，缓缓进入硅基半导体商场，有望引颈新一轮产业立异。因此，宇宙列国纷繁运行制定野心，放胆发展第3代半导体产业。

一、好意思国

好意思国仍是将部署第3代半导体政策提高到国度层面，以设立在这一领域对宇宙的皆备上风地位。自2000年以来，好意思国国防部、能源部、科学时刻委员会过头部分产学研机构纷繁制订关联GaN、SiC等半导体材料的开发样式，聚焦于电子器件、光电子器件和柔性电子器件接洽、开发的政策与措施。 

2002年，好意思国国防先进接洽野心局（DARPA）启动并实施了“宽禁带半导体时刻野心（WBGSTI）”。该野心第1阶段在2002-2004年，时间将市售SiC衬底直径由2英寸增多到3英寸，同期开展4英寸SiC衬底的接洽，并于2006年收场了商品化。好意思国科锐（Cree）公司进一步激动了GaN基高功率、高效X波段器件研制。在野心第一阶段内还得手开发出场电极时刻（field-plates），使电力电子器件获取极高的击穿电压和输出功率。 

野心第2阶段为2005-2007年，主要收场GaN基高可靠性、高性能微波与毫米波器件的工程化分娩。第3阶段于2008-2009年实施，主要研制GaN基高可靠性、高性能单芯片毫米波集成电路（MMIC）。第2、3阶段时间建立了MMIC的全面遐想、分娩与封装时刻。 

2010年好意思国推出“宽代半导体时刻创新野心”，主要推动高性能SiC、GaN材料应用与多样商用系统的开发，这些系统包括雷达、刀兵、电子通讯与叛逆等。 

2011年，DARPA/MTO援手并发起了氮化物电子下一代时刻（Nitride Electronic NeXt Generation Technology，NEXT）野心[[ii]]，主要推动GaN材料在高频领域的应用。时间演示了300GHz D模式和200GHz E模式高迁徙率场效应管（HEMT），同期保握击穿电压和晶体管截止频率乘积大于5THz·Volt。NEXT步履的最终办法是收场用于羼杂信号应用的1000-晶体管、高输出、500GHz E/D模式GaN时刻。同庚，好意思国能源部建议下一代照明光源野心（NGLI）和固态照明研发野心（SSL）。其中，NGLI样式为期10年，耗资5亿好意思元，旨在用固态光源替代传统灯泡。SSL野心中的多年研发样式野心（MYPP）则建议了LED封装价钱和性能的发展野心。 

2012年好意思国国度科学时刻委员会发布了《国度先进制造政策野心》，在其“和洽联邦投资的先进材料”部分建议了在纳米级、生物级、智能级及复合材料等方面进行投资，国度标准时刻接洽院开展了“下一代材料测量、建模及仿真野心”。同庚建议的《国度制造也创新辘集（NNMI）》中，在建成的9座创新中心中有3家遐想第3代半导体研发。 

2013年，好意思国能源先期接洽野心局（ARPA-E）建议了《禁止高效系统的宽禁带半导体低成本晶体管政策（SWITCHES）》。ARPA-E将向14个样式投资系数2 700万好意思元，以开发下一代功率休养器件，使电网中禁止和休养电能的方式发生巨大变革。 

奥巴马政府于2014年7月建议：在2022年前将再建立45个制造业创新中心（IMIs），好意思国将开启“下一代电力电子时刻国度制造业创新中心”的教育[[vi]]。并为这一办法提供强有劲的政策支撑，《国情咨文》文告以10亿好意思元的投资创建15个IMIs。电力电子时刻国度制造业创新中心的建立办法是加速、加强宽带隙半导体时刻的研发和产业化，从而使好意思国马上占领涵盖范围广的应用领域商场。这些商场散布包含传统商场和界限与发展速率最大、最快的新兴商场，从家用电器微型领域到工业征战制造大型领域，从电信时刻到清洁能源时刻等，下一代电力电子商场为好意思国创造出一大量高收入职业岗亭。 

2015年，好意思国国度科学基金会和好意思国能源部对阿肯色大学国度可靠电力传输中心的SiC时刻样式提供了资助。此接洽是好意思国国度科学基金会“建立创新智力样式”的一部分，APEI公司重心在开发电力系统中的SiC电路，同庚阿肯色大学得手研发出使命温度非凡350℃的SiC基集成电路，并神敢于将其推向买卖化。尔后，好意思国陆军坦克接洽和发展工程中心于2015年12月和2016年3月分别向通用电气公司航空部门签署了价值340万好意思元和210万好意思元的2项SiC基功率电子器件条约，以其资助研发并向其采购SiC基功率电子器件。 

2015年9-10月，好意思国大众举行了关联固态照明的会议，2016年2月能源部建立固态照明研发使命室，同庚好意思国更新了《固态照明野心》。这一系列举措细目了为好意思国畴昔3年LED及OLED照明责罚有野心增涨价值的观点，即以宽禁带半导体时刻为基础，提高光效、摒除使用的艰辛、裁汰成本，何况驱动、优先琢磨特定时刻研发的应用。在《确保好意思国在半导体领域的永久引导地位》请问中指出，要“通过在顶端领域的握续创新，好意思国才能减少由中国产业政策所带来的禁锢，以增强好意思国经济”，并成立了半导体群众组织，以加强半导体产业发展，使国度经济和安全受益。 

二、欧盟

欧盟作为欧洲的经济和政事共同体，在制定第3代半导体发展野心上以结伴研发样式为主，以对各个成员国的资金、东说念主才、时刻上风进行优化竖立，使欧洲在半导体领域保握国际率先水平。 

2005年，欧盟推出了由欧洲谨防机构资助的面向国防和买卖应用的“GaN集成电路研发核神思构（Key Organization for Research on Integrated Circuits in GaN，KORRIGAN）野心”，为期4年，总经费4 000万欧元。KORRIGAN野心以责罚工艺、材料、可靠性、先进分装责罚有野心及发烧无间中的些许问题为中枢办法。以创建寂寥的GaN-HEMT供应链、为欧洲防务工业提供启航点进的、最可靠的GaN晶圆制备服务为主要任务。机组成员分享大量的考试征战与数据来提供使命效果。 

2008年，欧洲航天局意志到GaN器件在对地不雅测、导航、汉典通讯、转移通讯等领域都存在巨大的应用远景，但欧洲原土当先锋无得志航天工业需求的GaN器件供应商。因此，欧洲航天局启动了GaN可靠性增长和时刻篡改样式（GaN Reliability Enhancement and Technology Transfer Initiative，GREAT2）。GREAT2由欧洲航天局的基础时刻接洽野心（Basic Technology Research Programme）以及德国和比利时的共性时刻支撑野心（General Support Technology Programme）提供资金支撑。第一阶段的总经费预算约为860万欧元，主要办法是将GaN器件的基础接洽、建模、晶圆制造、器件制造、封装等各方法的融合组织成完满的GaN微波居品产业链，提供适用于航天航空领域的GaN功率晶体管和GaN-MMIC。 

2010年，意法半导体公司作为和洽东说念主启动了欧洲LAST POWER样式，协同德国、法国、意大利、瑞典、波兰、希腊6国对SiC和GaN要道时刻进行结伴公关。 

2011年，欧盟建议了固态照明引申和固态照明产业发展政策并发布《照亮畴昔——加速新式照明时刻应用》绿皮书。 

2013年，欧洲启动NEULAND样式[[xi]]，由德国联邦西宾和接洽部（Federal Ministry of Education and Research，BMBF）提供基金自握，主要办法在于应用基于SiC和GaN-on-Si的创新半导体器件将可再生能源电力并网损耗裁汰50%。同庚推出的“地平线2020”野心为期7年，欧盟野心总共插足800亿欧元。其中即包括第3代半导体的相干研发样式。 

2014年，欧盟启动“面向电力电子应用的大尺寸碳化硅衬底及异质外延氮化镓材料”样式。 

该样式由意法半导体主导，再次协同德国、法国、意大利、瑞典、波兰、希腊6国对SiC和GaN要道时刻进行结伴公关。通过对SiC和GaN功率电子时刻的研发，公关破裂高可靠性且高成本效益的时刻，使欧洲成为宇宙高能效功率芯片接洽并买卖化应用的最前沿。同庚“基于碳化硅衬底的氮化镓器件和氮化镓外延曾晶圆供应链（MANGA）”样式启动，为欧洲国度GaN基功率电子器件建立供应链。

欧盟在2017年推出了挑战（CHALLENGE）样式，聚焦于擢升商用600-1200V SiC器件的功率效果。

三、日本

日本在GaN和SiC衬底的外延、器件制备与应用方面仍是达到宇宙率先水平，这与日本政府的多个部门、不同机构通过制定政策野心、结伴研发样式、激励措施等多种体式结合多年对半导体研发样式加以巨额投资密弗成分。 

早在1998年，日本就运行了全球第1个以半导体照明时刻为主的国度发展野心——“21世纪光野心”。2002年，日本启动全面支撑GaN晶圆评价和分析时刻接洽的“氮化镓半导体低功耗高频器件开发”野心。2008年“日本新一代节能时间时刻政策与发展野心”建议，将遴荐SiC、GaN等宽禁带半导体器件进一步裁汰功率器件的功耗。2010年的Eco-Point轨制插足2321.4亿日元以延迟环保积分轨制的实行。2014年在“国度硬电子野心”中将碳化硅衬底的制备与器件外延作为了重心接洽课题投以巨资进行支撑。2016年日本启动“有助于收场节能社会的新一代半导体接洽开发”样式，主要进行GaN功率元器件的开发与应用。该样式为期5年，2016年样式经费预算为10亿日元。

四、韩国

　　韩国于2000年制订了GaN开发野心，政府在2004-2008年的4年间插足4.72亿好意思元，企业也插足7.36亿好意思元以支撑韩国进行光电子产业发展，使韩国成为亚洲最大的光电子器件分娩国。2009年韩国发布《绿色成长国度政策》，全力发展环保节能产业，并神敢于使得该产业成为韩国经济增长的主要能源之一。在金属有机化学气相千里积（MOCVD）机台好处野心中，韩国于2010-2012年间插足了4 500万好意思元以推动MOCVD收场国内好处、引进制程自动化系统并开发高速封装、监测征战。2016年韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国度样式，同期重心围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质料SiC单晶滋长、高质料SiC外延材料滋长4个标的，开展了国度研发样式。 

现在，不同于第1代、第2代半导体材料及集成电路产业与国际先进水平存在较大差距的情况，我国在第3代半导体领域开展的接洽使命处于宇宙前沿，固然工程时刻水平较国际先进水平有差距，但差距仍黑白凡小，在某些领域获仍是得率先和比较上风。跟着中国政府支撑创新、饱读舞创新力度的无间加强，国度政策层面支撑力度的握续加大，我国第3代半导体产业不久必将收场超越，领跑宇宙。

 第三代半导体带来的机遇与挑战

比较第1代与第2代半导体材料，第3代半导体材料是具有较大禁带宽度（禁带宽度>2.2eV）的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO），其中，发展较为熟识的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗放射智力、击穿电场、电子饱和速率等方面优点隆起，因此更使用于高温、高频、抗放射的场合。

跟着SiC、GaN器件的制备工艺缓缓熟识，其分娩成本也在无间裁汰，第3代半导体正以其优良的性能破裂传统硅基材料的瓶颈，缓缓进入硅基半导体商场，有望引颈新一轮产业立异。因此，宇宙列国纷繁运行制定野心，放胆发展第3代半导体产业。 

跟着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料（即第三代半导体材料）征战、制造工艺与器件物理的马上发展，SiC和GaN基的电力电子器件缓缓成为功率半导体器件的关键发展标的。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗放射智力运行在军事、航空航天等领域崭露头角。

 本文将从第三代半导体材料性能应用、行业翘楚及商场并购、列国发展政策以及中国力量与想考多个角度浅析第三代半导体功率器件商场。

 01 第三代半导体性能及应用

半导体产业发展于今阅历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表。第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也仍是等闲应用。而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料，相较前两代居品，性能上风显赫并受到业内的等闲好评。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率、高电子密度、高迁徙率等特质，因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。发展较好的宽禁带半导体主若是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些。SiC、GaN、Si以及GaAs的一些参数如下图所示： 

 可见，SiC和GaN的禁带宽度庞大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs，宽禁带半导体的最高使命温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也庞大于Si和GaAs。以SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗放射智力，非凡得当于制作高温、高频、抗放射及大功率器件。

居品被市姿色接纳，价钱和性能是最主要的琢磨身分。SiC的性能无用置疑，但成本照旧比硅居品高，在调换性情、调换电压、调换使用条目的情况下，大集结比硅居品贵5~6倍，因此，现阶段只可从要求高性能、且对价钱不是很敏锐的应用运行来取代硅居品，举例汽车、汽车充电桩、太阳能等。要取代硅制居品，SiC照旧有很大的发展空间的。当SiC的成本能降到硅的2~3倍的时期，应该会变成很大的商场界限。到2020年，EV汽车大界限推出的时期，SiC商场会有爆发式的增长。

在应用方面，确认第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探伤器、以过头他4个领域，每个领域产业熟识度各不调换，如下图所示。在前沿接洽领域，宽禁带半导体还处于施行室研发阶段。

 底下，咱们重心海涵一下其在功率无间方面的应用情况。许多公司运行研发SiC MOSFET，率先企业包括包括英飞凌（Infineon）、科锐（Cree）旗下的Wolfspeed、罗姆（ROHM）、意法半导体（STMicroelctronics）、三菱和通用电气等。与此相背，进入GaN商场中的玩家较少，起步较晚。

 SiC和GaN买卖化功率器件发展流程

 SiC的电力电子器件商场在2016年厚爱变成，商场界限约在2.1亿~2.4亿好意思金之间。而据Yole最新预测，SiC商场界限在2021年将高潮到5.5亿好意思金，这时间的复合年均增长率预测将达19%。现在，全球有非凡30家公司在电力电子领域领有SiC、GaN相干居品的分娩、遐想、制造和销售智力。2016年SiC不管在衬底材料、器件照旧在应用方面，均有很猛进展，仍是开发出耐压水平非凡20KV的IGBT样片。

 耗尽大量二极管的功率身分校正（PFC）电源商场，仍将是SiC功率半导体最主要的应用。紧随PFC电源商场之后的应用领域是光伏逆变器。现在，许多光伏逆变器制造商将SiC二极管和MOSFET应用于他们的居品之中。SiC二极管的应用省略为光伏逆变器提供诸多性能上风，包括提高效果、裁汰尺寸和分量等。此外，SiC二极管能在一定功率范围内裁汰系统成本。

SiC器件商场发展趋势

 02 行业翘楚及商场并购

确认Yole地统计，现在行业的龙头，Infineon和Cree两家公司，仍是占据了所有SiC商场份额68%。紧随后来的即是ROHM和STMicroelctronics。

在SiC商场，Infineon 和 Cree一直是业界率先的企业

现在，这两家公司都把眼神放在怎么收场将SiC器件集成到功率组件和休养器上的工业化应用问题，同期也能为这些SiC器件系统提供经畸形遐想的封装。Infineon公司仍是具备了开发用于SiC器件功率组件所需的时刻基础。

除了Infineon和Cree外，日本的ROHM亦然在SiC功率器件研发方面有大插足的公司。

由于SiC功率器件可显赫减少功率休养损耗，2010年，ROHM率先文告量产SiC MOSFET居品，运行了这一居品的商场化进度。与其他SiC厂商比较，ROHM的上风在于一条龙的分娩体制。2009年，ROHM收购了SiCrystal公司，它是一家挑升作念SiC材料的德国企业，有了它提供材料，ROHM会在德国完成晶圆，然后在日本的福冈、京都作念芯片的封装和SiC模组，据悉，ROHM是全球独逐一家不错收场一条龙分娩的SiC厂商。其居品电压为650V和1200V，今后还会推出1700V致使更高电压的居品，主要针对铁路、太阳能、风能等应用。

太阳能和风能功率居品的最大区别在于，太阳能已往有1200V就不错了，而风能必须要1700V，致使3300V。家用车一般为650V，大巴需要1200V，高铁则可能需要1700V或3300V以上。裁汰芯片尺寸；或是在相同芯片尺寸的情况下，裁汰导通电阻，都是各巨头的攻关标的。

2016年的半导体领域并购案中，径直涉录取三代半导体的有4项，波及交往金额达100亿好意思元。其中以Infineon收购Cree分拆的Wolfspeed对产业样式影响最大，如果省略得手收购Wolfspeed的话，Infineon将在原有的基础上进一步壮大，会成为全球名标准一的SiC功率器件供应商。但该项交往于2017年2月16日，因为好意思国异邦投资委员会（CFIUS）海涵的国度安全问题而被动中止。

 贵寓起原：CASA整理

在模拟、畸形是功率并购商场，Infineon一直演出暴躁先锋的脚色。为扩大功率半导体业务，该公司于2015岁首，用大致30亿好意思元收购了功率半导体元件和功率无间IC厂商——好意思国国际整流器（IR）公司，这是英飞凌公司史上最大界限的收购案。英飞凌多年以来一直是功率半导体行业界限最大的厂商，通过收购IR，其全球商场份额进一步擢升，达到20％。

2015年，Infineon还并购了韩国企业LS Power Semitech的股权，收购了专注于驾驶辅助系统的PCB制造商Schweizer Electronic and TTTech的股权，以及与松下就畴昔的GaN时刻开展结合等政策性收购和结合样式，其在模拟，畸形是功率业务方面的拓展动作频频。

为什么会这么呢？一方面是基于大的产业环境，这些年全球半导体产业增长乏力，致使出现了负增长，厂商利润率着落显明，像英飞凌这么有一定例模和实力的厂商则面向具有巨大增长后劲的物联网、车联网、5G等商场，基于自身的时刻上风，寻求金钱的优化整合，以丰富、加强自身的居品线，扩大居品组合，增强企业的抗风险智力，通过吞并推动营收增长，赢得更多的商场份额。

另一方面，往往并购亦然基于企业填塞的现款储备，英飞凌2015年的财报发达优异，收入达到58亿欧元，同比增长34％。其4伟业务部门（汽车电子、电源无间及多元化商场、工业功率禁止、智能卡与安全）均有不俗发达，基于此，英飞凌也曾暗示，会将并购行为行为企业畴昔发展和强化自身实力的关键策略。

纵不雅近几年中国半导体的发展，借助产业扶握基金进行外洋收购仍是成为擢升我国产业实力的有劲刀兵。但琢磨到第三代半导体产业的资金和时刻双密集属性，畸形是SiC和GaN材料和芯片大量应用于军事领域，外洋收购第三代半导体相干时刻和公司将会越来越难堪。好意思国政府以“国度安全”为由艰辛金沙江收购Lumiled、宏芯投资基金收购德国Aixtron就是其佐证。仙童半导体于2015年12月拒却了中国投资财团第一次建议的收购有野心，但随后于2016年1月5日文告，将琢磨华润微电子与华创投资的改造有野心。

在新有野心中，中国成本愿以每股21.70好意思元的现款收购仙童，这一价钱远远高于安森好意思建议的每股20好意思元。缺憾的是，由于好意思国政府对中国企业并购的戒指，中国东说念主的高价橄榄枝并莫得获取通行证，仙童在拒却了英飞凌，ST之后，照旧弃取了同在好意思国的安森好意思，让后者跃居功率半导体二方丈！

 03列国的SiC政策

第三代半导体材料激发全球耀眼，并成为半导体时刻接洽前沿和产业竞争焦点，好意思、日、欧等国都在积极进行政策部署。作为电力电子器件，SiC器件在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本人分，缓缓失去了竞争力。但在高压领域，如高速列车、风力发电以及智能电网等，SiC具有弗成替代性的上风。

SiC材料与电力电子器件的发展 （数据起原：赛迪智库整理）

好意思国等发达国度为了霸占第三代半导体时刻的政策制高点，通过国度级创新中心、协同创新中心、结伴研发等体式，将企业、高校、接洽机构及相干政府部门等有机地结伴在全部，收场第三代半导体时刻的加速跨越，引颈、加速并霸占全球第三代半导体商场。

举例，好意思国国度宇航局（NASA）、国防部先进接洽野心署（DARPA）等机构通过研发资助、购买订单等方式，开展SiC、GaN研发、分娩与器件研制；韩国方面，在政府相干机构主导下，重心围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质料SiC单晶滋长、高质料SiC外延材料滋长这4个方面，开展研发样式。在功率器件方面，韩国还启动了功率电子的国度样式，重心围绕Si基GaN和SiC。

好意思国等发达国度2016年第三代半导体材料相干部分政策措施如下图所示：

贵寓起原：CASA整理

04中国的力量与想考

 我国开展SiC、GaN材料和器件方面的接洽使命比较晚，水平较低，拦阻国内第三代半导体接洽进展的关键身分是原创始新问题。国内新材料领域的科研院所和相干分娩企业大都急功近利，难以容忍永久“只插足，不产出”的近况。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原创始新举步维艰

但与此同期政府也在积极激动，国度和各场所政府络续推出政策和产业扶握基金发展第三代半导体相干产业：场所政策在2016年大量出台，福建、广东、江苏、北京、青海等27个地区出台第三代半导体相干政策（不包括LED）近30条。一方面多地均将第三代半导体写入“十三五”相干野心，另一方面不少场所政府有针对性对当地具有一定上风的SiC和GaN材料企业进行扶握。福建省更是野心插足500亿，成立挑升的安芯基金来教育第三代半导体产业集群。

我国多家半导体厂商也在积极布局SiC和GaN器件，华润华晶微电子和华虹宏力就是其中的代表企业。也曾距离收购仙童半导体那么近，不错看出华润微电子在布局先进功率器件方面的决心和力度。华润华晶微电子是华润微电子旗下从事半导体分立器件的国度高新时刻企业，在国内，其功率器件的界限和品牌具有一定上风。华虹宏力则是业内首个领有深沟槽超等结（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及场截止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工艺平台的200mm代工场。中国企业仍是具备一定例模。

从分析中不丢脸出：

纵不雅全球功率器件商场，机遇与挑战并存。全球SiC产业样式呈现好意思国、欧洲、日本三足鼎峙态势。其中好意思国全球独大，占有全球SiC产量的70%~80%；欧洲领有完满的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，在全球电力电子商场领有苍劲的谈话权；日本是征战和模块开发方面的皆备率先者。我国由于在LED方面仍是接近国际先进水平，为第三代半导体在其它方面的时刻研发和产业应用打下了一定的基础。

对媲好意思欧日等发达国度，中国不错在以下几个方面作念出更大努力：

1．麇集上风资源扶握龙头企业和接洽机构。在我国SiC领域本人就不具备上风的情况下，国度和场所的投资基金却又很分散的插足到许多企业内部去，大大分散正本就不及的研发插足，难以变成界限效应。

2．群众研发平台的参与。第三代半导体波及多个学科、跨领域的时刻和应用。许多基础性研发不是企业省略责罚的。国内的接洽院所大多按照领域分袂，也很难变成跨领域、多学科结合。不错以国度样式体式组织多个接洽院所共同攻克基础时刻。

3．产业野心先行。借助行业协会的力量，先行野心产业发展澄澈，在标准、检测、认证等方面骨子。是产业发展更趋合感性和指挥性。责罚现行标准、检测、认证等法例、步履和新材料产业发展特质不匹配之处。

中国在第三代半导体材料方面要弯说念超车照旧受制于东说念主？这是广博从业者最海涵的问题。高时刻产业的振兴需要咱们不务空名地去努力，去怡悦。

• 国外
• 第三代
• 材料
• 撸踏踏
• 半导体